[发明专利]多晶硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010190047.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111415900B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 向磊;戴鸿冉;熊磊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离高于有源区，衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；根据光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去除部分的BARC厚度小于BARC的厚度，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除浅沟槽隔离上方的BARC，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀有源区上方的BARC；根据光阻定义的图形区域对硬掩膜层进行刻蚀，去除光阻和BARC，刻蚀多晶硅层；解决了现有技术中增加BARC过刻蚀过程后特征尺寸均匀性变差的问题，达到了改善特征尺寸的均匀性，以及保证特征尺寸的大小的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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