[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010186664.7 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053752A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈正龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括：在衬底的外延层上方形成硬掩模；在硬掩模上方形成经图案化的掩模；蚀刻硬掩模和外延层以在外延层中形成沟槽，其中，硬掩模的剩余部分覆盖外延层的最上表面，并且沟槽暴露外延层的侧壁；通过沿着与外延层的最上表面的法线不平行的倾斜方向将p型离子束引导到沟槽中来形成P阱区域，其中，在将p型离子束引导到沟槽中期间，通过硬掩模的剩余部分保护外延层的最上表面免受p型离子束的影响；以及在将p型离子束引导到沟槽之后，在沟槽中形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
