[发明专利]一种组合终端结构快恢复二极管芯片及制造工艺

摘要

本发明涉及一种组合终端结构快恢复二极管芯片及制造工艺，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括从上至下依次设置的阳极金属层、氧化层、N‑外延层、N++衬底层和阴极金属层，所述N‑外延层上设有P+掺杂区和P‑掺杂区，所述P‑掺杂区分别设于P+掺杂区两侧，且P‑掺杂区紧贴于P+掺杂区，所述N‑外延层上设有N+掺杂区，所述N+掺杂区设于P‑掺杂区两侧。本申请采用“P‑+P++场版”组合终端结构，P‑掺杂区弱化了反偏时空间电荷区电场强度集中现象，以实现在保证产品电压不变的前提下降低了材料的电阻率；同时P‑掺杂区与P+掺杂区并联，增大了有源区面积。上述两方面使得产品的导通能力增加，提升了产品的电流能力。