[发明专利]三维密排互连线之间的交叉电容和串扰的降低在审
| 申请号： | 202010177674.4 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111834334A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·伯顿 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及三维密排互连线之间的交叉电容和串扰的降低。一种网格互连接口包括：介电切片；沿着纵向轴对齐并且被定位得最靠近第一驱动器库的第一微凸块们，该第一驱动器库将耦合到第一小芯片的第一网格挡块；类似地对齐并且被定位得最远离第一驱动器库的第二微凸块们；类似地对齐并且被定位得最靠近第二驱动器库的第三微凸块们，该第二驱动器库将耦合到第二小芯片的第二网格挡块；类似地对齐并且被定位得最远离第二驱动器库的第四微凸块们，其中纵向轴与小芯片之间的间隙正交。微凸块的群组被布置在切片上。第一组导线嵌入在切片中以耦合第一和第二微凸块们。第二组导线与第一组导线交织并且嵌入在切片中以耦合第二和第三微凸块们。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 互连 之间 交叉 电容 降低 | ||
【主权项】：
暂无信息
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