[发明专利]扇出型堆迭式半导体封装结构的多层模封方法在审
| 申请号： | 202010158099.3 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113363166A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘圣捷 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种扇出型堆迭式半导体封装结构的多层模封方法，准备二个不同尺寸的模塑空间，将制程中先完成的第一半导体结构置入尺寸小的第一模塑空间，以完成第一封胶体；再将之后完成的第二半导体结构置入尺寸较大的第二模塑空间，以完成第二封胶体，且该第二封胶体连同第一封胶体一并包覆；是以，本发明的多层模封方法可适用于使用大尺寸载板的扇出型面板级封装制程，也不必使用昂贵的压模胶。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型堆迭式 半导体 封装 结构 多层 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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