[发明专利]一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法。本发明多层堆叠电路由有源器件、无源器件以衬底为基础堆叠而成，每一叠层至少有1个有源器件，各叠层间由绝缘层隔开，由通孔连接线连接；器件以二维半导体薄膜为基础制备得到；该多层堆叠电路可实现与非门、或非门、反相器、传输门等多种逻辑或者模拟电路；有源器件主要为场效应晶体管。制备方法包括：器件衬底的准备；二维半导体材料及其各场效应晶体管、无源器件的制备；各层间隔层及通孔连接线制备。本发明工艺简单、成本低廉，得到的电路器件具有多功能集成、互连缩短、集成度高、噪声低等优势，可推进二维半导体薄膜材料在集成电路产业中的应用。