[发明专利]一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺在审
| 申请号： | 202010154125.5 | 申请日： | 2020-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111341655A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈功;马俊;徐一俊;黄笑容 | 申请（专利权）人： | 浙江中晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 湖州长兴西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33325 | 代理人： | 李开腾 |
| 地址： | 313100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种重掺硼硅片双次碱腐蚀加工工艺，包括初级碱腐蚀、预超洗、HCL中和、快排水洗、二级碱腐蚀、预超洗、HCL中和、快排水洗及甩干，通过采用两次碱腐蚀工艺，即先采用中高温初级腐蚀，消除重掺硼硅片表面脏污色块和硅粉分布不均匀层(3‑5um)，再采用高温二级腐蚀迅速去除硅片表面损伤层(10‑15um)，使得形成的腐蚀片表面更加均匀，消除脏污类的影响更加明显，能够有效降低硅片表面加工过程的损伤层对硅片表面的腐蚀速度的影响，有效提高硅片表面腐蚀平整度，从而实现高良率重掺硼单晶硅化腐片生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重掺硼 硅片 双次碱 腐蚀 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
