[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010151584.8 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111952369A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡国强;陈志辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法。此处所述的鳍状场效晶体管装置与其形成方法中，源极/漏极接点的电阻/电容功率损失降低，且源极/漏极接点与栅极通孔之间的工艺容许范围增加。金属隆起物可形成于第一材料的源极/漏极接点的第一凹陷中。金属隆起物与接点通孔可由第二材料形成，且接点通孔可形成于金属隆起物上，以提供鳍状场效晶体管的混合的源极/漏极接点，且源极/漏极接点与金属隆起物之间的界面具有大表面接点面积。介电填充材料及/或顺应性的接点蚀刻停止层可用于形成隔离区于源极/漏极接点的第二凹陷中，以加大鳍状场效晶体管的栅极接点与隔离区之间的工艺容许范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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