[发明专利]半导体装置

摘要

根据实施方式，提供一种半导体装置，其具有积层体、第1区域、第2区域及半导体通道。积层体配置在衬底之上。在积层体中，多个导电膜相互隔开地配置在积层方向上。第1区域配置在衬底内。第1区域包含第1导电型的第1杂质的浓度分布的峰值。第1区域从衬底的表面，经过包含第2导电型的第2杂质的浓度分布的深度区域，而到达具有峰值的第1杂质的浓度分布与第2杂质的浓度分布交叉的深度，所述第2导电型的第2杂质的浓度分布相比具有峰值的第1杂质的浓度分布形成在高浓度侧。第2区域配置在衬底内。第2区域包含第3杂质的浓度分布，第2区域的深度区域与第1区域的至少一部分重叠。第2区域中的第3杂质的浓度分布在第2区域的深度方向上相比第1杂质的浓度分布而位于高浓度侧。半导体通道在积层方向上贯通积层体。半导体通道的一端到达第1区域及第2区域。