[发明专利]一种原子层沉积制备单质钯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种原子层沉积制备单质钯薄膜的方法，其特征在于：本发明采用六氟乙酰丙酮钯脉冲冲入真空反应室与待镀基料发生化学自饱和吸附，并发生交换反应，在待镀基料表面生成置换前驱体新表面，再与气相前驱体福尔马林水溶液发生还原反应，生成单层的单质钯薄膜。由于前驱体的化学吸附具有自饱和性，因此实现一个工艺周期完成一个单层单质钯原子层沉积，每重复一个工艺周期，则在前一个单层单质钯薄膜材料上层叠一个单质钯的单层，通过控制工艺循环次数，精确控制单质钯薄膜的厚度，在复杂形状部件表面形成完美的单质钯薄膜，单质钯层平整，均匀性强、稳定性和稳固性高，不受待镀基料表面和形状的影响。克服了现有技术的不足。