[发明专利]单质量块平面三轴MEMS惯性传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010135105.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111333021B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 赵成;杨义军;朱骏;郭鹏飞;王健 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;G01C19/5656;G01C21/18;G01P15/125 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 董旭东;陈栋智 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单质量块平面三轴MEMS惯性传感器，包括自下而上依次键合的底板、空腔结构层、质量块与悬臂梁结构层、顶板；空腔结构层底面的空腔基板底面键合环与底板顶面的底板键合环金金键合；悬臂梁固支边框的底面与空腔结构层顶面的空腔基板顶面键合环金硅键合，各个悬臂梁悬置于空腔之上并使质量块悬置于空腔之中；顶板底面的接地引出电极与悬臂梁固支边框顶面的接地电极金金键合，最终形成一个气密封闭结构，本发明总体结构简单、制备过程简便，感测灵敏度和感测精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 单质 量块 平面 mems 惯性 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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