[发明专利]光罩图形测量方法及其系统在审
| 申请号： | 202010130478.1 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113325661A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王何宁;舒强;张迎春;王占雨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光罩图形测量方法及其系统，方法包括：提供设计图形以及光学邻近修正后的光罩图形；将光罩图形沿第一方向分成多个分片，第一方向与特征尺寸的测量方向相垂直；从多个分片中选取待测量分片，沿第一方向与待测量分片相邻的分别为第一分片和第二分片；采用多个测量步进对分片进行测量，获得多个测量特征尺寸，从所述设计图形能够获知待测量分片、第一分片和第二分片相对应的特征尺寸的关系，将多个测量特征尺寸进行比较，能够获得待测量分片的测量特征尺寸，从而能够判断待测量分片的特征尺寸是否满足设计要求，进而能够判断光学邻近修正后的光罩图形的测量特征尺寸是否满足设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 测量方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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