[发明专利]基板收容装置在审
| 申请号： | 202010124358.0 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111668143A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 上野宏优;小野田正敏 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可在外壳内冷却或加热经加热后的基板，并且可提高处理量的基板收容装置。本发明的解决手段为一种基板收容装置(10)，其具备：外壳(11)，在内部呈真空的状态下收容多片基板(S)；温度改变装置(40)，改变被收容于外壳(11)内的基板(S)的温度；以及移送机构(20)，在以既定间隔分离的状态下保持被收容于外壳(11)内的多片基板(S)，并且在外壳(11)内，将基板(S)从由外壳(11)的外部所送入的送入位置(F)，移送到用以送出至外壳(11)的外部的送出位置(E)为止；且移送机构(20)构成为：伴随着新的基板(S)被收容于外壳(11)内，从先被收容于外壳(11)的基板(S)开始依次移送到送出位置(E)。 | ||
| 搜索关键词： | 收容 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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