[发明专利]基板收容装置

说明书

本发明涉及一种可在外壳内冷却或加热经加热后的基板，并且可提高处理量的基板收容装置。本发明的解决手段为一种基板收容装置(10)，其具备：外壳(11)，在内部呈真空的状态下收容多片基板(S)；温度改变装置(40)，改变被收容于外壳(11)内的基板(S)的温度；以及移送机构(20)，在以既定间隔分离的状态下保持被收容于外壳(11)内的多片基板(S)，并且在外壳(11)内，将基板(S)从由外壳(11)的外部所送入的送入位置(F)，移送到用以送出至外壳(11)的外部的送出位置(E)为止；且移送机构(20)构成为：伴随着新的基板(S)被收容于外壳(11)内，从先被收容于外壳(11)的基板(S)开始依次移送到送出位置(E)。

技术领域

本发明关于用以在与真空处理室之间交接基板所使用的基板收容装置。

背景技术

于半导体制造工序或平板显示器制造工序中，半导体晶片或玻璃基板等各种基板在真空处理室内被施以离子植入等各种处理。在此过程中，有时会使用：可在不破坏真空处理室的真空状态的情形下在与真空处理室之间进行基板的交接，并且可收容多片基板的基板收容装置。

如此的可收容多片基板的基板收容装置，为人所知者例如有专利文献1所揭示的真空承载(Load Lock)装置。

专利文献1所揭示的真空承载装置使用在将高温的晶片冷却的情形，其具备可多段地载置4片半导体而收容的容器，并且具备：通过利用使容器内从真空下回复至大气压下的氮气等来作为冷却气体，以冷却所收容的半导体晶片的构成。

然而，专利文献1所揭示的真空承载装置为将4片半导体晶片收容于容器内，一次将4片基板冷却后送出至外部，然后再次将下一批4片半导体晶片收容于容器，并重复进行此动作而构成。

因此，在每次将4片基板收容于容器内时，会产生用以一次将4片基板冷却的待机时间，所以有处理量(throughput)降低的课题。此外，即使在加热多片基板的情形下，以往也是一次加热多片基板，同样产生待机时间，而有处理量降低的课题。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2011-49507。

发明内容

[发明所欲解决的课题]

本发明是为了解决所述课题而创作完成，其在于提供一种可在外壳内冷却或加热基板，并且可提高处理量的基板收容装置。

[用以解决课题的技术手段]

为了解决所述课题，本发明的第一技术要点的基板收容装置具备：外壳，在内部呈真空的状态下收容多片基板；温度改变装置，改变被收容于所述外壳内的所述基板的温度；以及移送机构，在以既定间隔分离的状态下保持被收容于所述外壳内的多片所述基板，并且在所述外壳内，将所述基板从由所述外壳的外部所送入的送入位置，移送到用以送出至所述外壳的外部的送出位置为止；且所述移送机构构成为：伴随着新的所述基板被收容于所述外壳内，从先被收容于所述外壳的所述基板开始依次到达所述送出位置。

所述构成中，由于具备改变被收容于外壳内的基板的温度的温度改变装置，所以可冷却或加热被收容于外壳内的基板。

此外，由于移送机构伴随着新的基板被收容于外壳内，而以使从先被收容于外壳的基板开始依次到达送出位置的方式来移送基板，所以可伴随着将新的基板收容于外壳，而从先被收容于外壳的基板开始依次送出至外壳的外部。

因此，在基板从收容于外壳内至到达送出位置然后送出至外壳外为止的期间，可确保冷却时间或加热时间，并且可在将新的基板送入于外壳内时从外壳依次送出基板。

也就是，不须如以往般耗费用以一次将多片基板冷却或加热的待机时间，可伴随着新的高温基板被收容于外壳内而将经冷却或加热后的基板送出至外部。