[发明专利]屏蔽型IGBT结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010120892.4 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111211169A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽型IGBT结构及其制造方法，它包括集电极金属、P型集电极区、N型缓冲层、N型外延层、N型积累层、P型体区、第一类沟槽、第二类沟槽、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、栅氧层、N型源区、绝缘介质层与发射极金属；第一类沟槽与第二类沟槽呈间隔设置，第一类沟槽从N型源区的上表面依次穿透P型体区与N型积累层并最后进入N型外延层内，在第一类沟槽的侧面与底面设有栅氧层，栅氧层包裹所述第一类导电多晶硅；第二类沟槽从N型源区的上表面穿透P型体区与并最后进入N型积累层内，在第二类沟槽的侧面与底面设有栅氧层，栅氧层包裹第二类导电多晶硅。本发明器件的栅极电容极小，开关损耗较小，器件的可靠性得到了大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 igbt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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