[发明专利]具有带有外延块的源极或漏极结构的环绕栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202010106455.7 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111725301A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | C·邦伯格;A·默西;M·T·博尔;T·加尼;B·古哈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开描述了具有带有外延块的源极或漏极结构的环绕栅集成电路结构，以及制造具有带有外延块的源极或漏极结构的环绕栅集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置。第一对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的第一垂直布置对准的垂直分立部分。第二对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的第二垂直布置对准的垂直分立部分。导电接触结构在横向上处于第一对外延源极或漏极结构中的一个与第二对外延源极或漏极结构中的一个之间，并且与第一对外延源极或漏极结构中的一个和第二对外延源极或漏极结构中的一个接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 外延 结构 环绕 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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