[发明专利]制造存储器装置的方法在审
申请号: | 202010096593.1 | 申请日: | 2020-02-17 |
公开(公告)号: | CN111933655A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 南奇亨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种制造存储器装置的方法。该方法包括以下步骤:在基底上形成多条下导电线;在所述多条下导电线上形成多个存储器单元;形成限定多条第一线的开关堆叠件,所述多条第一线在多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸;在开关堆叠件上形成上导电层;形成限定多条第二线的蚀刻掩模,所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸,第二方向与第一方向不同;通过使用蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元。 | ||
搜索关键词: | 制造 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的