[发明专利]制造存储器装置的方法

说明书

提供了一种制造存储器装置的方法。该方法包括以下步骤：在基底上形成多条下导电线；在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸；在开关堆叠件上形成上导电层；形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向与第一方向不同；通过使用蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元。

本申请要求在韩国知识产权局于2019年5月13日提交的第10-2019-0055841号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及制造存储器装置的方法。更具体地，发明构思涉及制造相变存储器装置的方法。

背景技术

相变随机存取存储器(PRAM)是利用材料的相变来存储数据的非易失性存储器。PRAM的存储单元可以包括包含相变材料的存储单元和用于选择存储单元的开关单元。存储单元可以连接到上导电线和下导电线(例如，位线和字线)。

发明内容

发明构思提供了高度集成的相变存储器装置。

根据发明构思的一方面，一种制造存储器装置的方法可以包括：在基底上形成多条下导电线；在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在所述多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸；在开关堆叠件上形成上导电层；形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向不同于第一方向；通过利用蚀刻掩模来蚀刻上导电层和开关堆叠件，形成多条上导电线和多个开关单元。

根据发明构思的另一方面，一种制造存储器装置的方法可以包括：形成多条下导电线；在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；在所述多个存储器单元上形成多个开关单元；在所述多个开关单元上形成多条上导电线；形成包括平行地延伸的多个第一凹进的第一绝缘层，其中，所述多条上导电线是在第一绝缘层形成之后在第一绝缘层中的所述多个第一凹进中形成的。

根据发明构思的另一方面，一种制造存储器装置的方法可以包括：形成下导电线；在下导电线上形成至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层包括至少一个孔；在所述至少一个绝缘层中的所述至少一个孔中形成第一电极图案、开关图案、第二电极图案、相变图案和第三电极图案；以及在第三电极图案上形成上导电线。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解发明构思的示例实施例，在附图中：

图1A至图11A是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图，图1B至图11B是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的正视图，图1C至图11C是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的侧视图。

图12A至图15A是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图，图12B至图15B是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的正视图，图12C至图15C是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的侧视图。

图16A至图18A是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图，图16B至图18B是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的正视图，图16C至图18C是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的侧视图。

图19A至图21A是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的平面图，图19B至图21B是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的正视图，图19C至图21C是用于解释根据发明构思的示例实施例的制造存储器装置的方法的侧视图。