[发明专利]制造存储器装置的方法

权利要求书

1.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成多条下导电线；

在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；

形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在所述多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸；

在开关堆叠件上形成上导电层；

形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向不同于第一方向；以及

通过使用所述蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元。

2.根据权利要求1所述的制造存储器装置的方法，其中，形成所述多个存储器单元的步骤包括：

形成包括多个凹进的第一绝缘层，所述多个凹进在所述多条下导电线上平行地延伸并使所述多条下导电线暴露；以及

在所述多个凹进中形成下电极层。

3.根据权利要求2所述的制造存储器装置的方法，其中，形成所述多个存储器单元的步骤还包括：

在下电极层上形成用于形成第二绝缘层的材料层，以及

通过抛光下电极层和用于形成第二绝缘层的材料层使得第一绝缘层的上表面被暴露来形成多个下电极图案和第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的制造存储器装置的方法，其中，形成所述多个存储器单元的步骤还包括在下电极层与用于形成第二绝缘层的材料层之间形成间隔层。

5.根据权利要求3所述的制造存储器装置的方法，其中，形成所述多个存储器单元的步骤还包括：

蚀刻所述多个下电极图案中的每个下电极图案的上部；以及

分别在第一绝缘层与第二绝缘层之间并在所述多个下电极图案中的对应的下电极图案上方形成多个相变图案。

6.根据权利要求5所述的制造存储器装置的方法，其中，形成所述多个存储器单元的步骤还包括，分别在第一绝缘层与第二绝缘层之间并在所述多个相变图案中的对应的相变图案上方形成多个下中间电极图案。

7.根据权利要求3所述的制造存储器装置的方法，其中，所述多个存储器单元中的两个相邻的存储器单元共用所述多个下电极图案中的一个下电极图案。

8.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

形成多条下导电线；

在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；

在所述多个存储器单元上形成多个开关单元；

在所述多个开关单元上形成多条上导电线；以及

形成包括平行地延伸的多个第一凹进的第一绝缘层，

其中，所述多条上导电线是在第一绝缘层形成之后形成在第一绝缘层中的所述多个第一凹进中的。

9.根据权利要求8所述的制造存储器装置的方法，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述多个开关单元之后，形成围绕所述多个开关单元的侧壁的第二绝缘层。

10.根据权利要求8所述的制造存储器装置的方法，其中，形成第一绝缘层的步骤包括：形成还包括连接到所述多个第一凹进的多个第一孔的第一绝缘层，以及

所述多个开关单元的形成是在执行形成第一绝缘层的步骤之后在第一绝缘层中的所述多个第一孔中形成所述多个开关单元。

11.根据权利要求10所述的制造存储器装置的方法，其中，所述多个第一孔是在所述多个第一凹进形成之后形成的。

12.根据权利要求10所述的制造存储器装置的方法，其中，所述多个第一孔是在所述多个第一凹进形成之前形成的。

13.根据权利要求8所述的制造存储器装置的方法，所述方法还包括以下步骤：

形成包括多个第二孔的第二绝缘层，

其中，所述多个开关单元的形成是在执行形成第二绝缘层的步骤之后在第二绝缘层中的所述多个第二孔中形成所述多个开关单元。