[发明专利]薄膜形成装置在审
| 申请号： | 202010092653.2 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113337809A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 长江亦周;宫内充祐;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/455;G02B1/10;G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周达;张印铎 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
