[发明专利]薄膜形成装置

说明书

本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。

技术领域

本申请涉及光学薄膜形成领域，尤其涉及一种薄膜形成装置。

背景技术

作为图像传感装置的CCD和CMOS，因为其表面上的光反射比银盐照相胶片更强，因此容易产生耀斑和重影。此外，在诸如LCD的平板显示器中，由于在显示表面上的光反射而引起的外部光的反射等问题。因此，这都需要实施防眩处理。

但是，随着显示密度的提高，光线经过防眩光处理的表面上容易形成漫反射，这就阻碍了图像分辨率的提高。为了减少各种光学产品的基板表面上的反射，有必要有效地形成低折射率的表面层。但是，在现有技术中，难以制造大面积的实用化的且成本较低的低折射率的薄膜。

发明内容

鉴于现有技术的不足，本申请的目的是提供一种薄膜形成装置，以能够制造大面积的实用化的且成本较低的低折射率的薄膜。

为达到上述目的，本申请提供以下技术方案：

一种薄膜形成装置，包括：

用于容纳基板的真空成膜室；

用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；

用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积形成低折射率薄膜。

作为一种优选的实施方式，所述等离子源包括：安装于所述真空成膜室外的壳体、位于所述壳体内的天线；所述天线经由电介质部配置在所述真空成膜室外；所述天线具有被施加高频电力的连接部。

作为一种优选的实施方式，所述天线具有并联的两个涡状线圈。

作为一种优选的实施方式，所述等离子源的功率可调。

作为一种优选的实施方式，所述导入机构包括：用于向所述真空成膜室中导入CVD原料气体的第一导入部、以及用于向所述真空成膜室中导入氧气和/或氩气的第二导入部。

作为一种优选的实施方式，所述CVD原料包括TEOS、HDMS4、HMDSO、SiH4、SiH2、Si(OC2H5)、SiHCL3中的至少一种。

作为一种优选的实施方式，所述导入机构被设置为导入气体参数可调；所述导入气体参数包括：气体种类、气体流量。

作为一种优选的实施方式，所述薄膜形成装置包括：

用于搬运基板的搬运机构；

用于排气形成真空环境的加载室；

用于将成膜后的基板卸载的卸载室；所述真空成膜室位于所述加载室和所述卸载室之间；所述搬运机构搬运所述基板顺次经过所述加载室、所述真空成膜室、所述卸载室。

作为一种优选的实施方式，所述搬运机构包括搬送辊、或传送带。

作为一种优选的实施方式，所述低折射率薄膜的折射率在1.5以下。

有益效果：

本申请中提供一种薄膜形成装置设有用于形成等离子体的等离子体源和能够导入气体的导入机构，通过导入机构导入氩气、氧气以及CVD原料使得基板位于气相环境中，并在等离子源的等离子体作用下形成化学气相沉积成膜，如此可以实现大面积地形成可实用的介电膜。