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[实用新型]等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置-CN202321216174.2有效
发明人：长江亦周;青山贵昭;冈田胜久;渡边健 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
等离子体发生装置线圈

[发明专利]离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法-CN202111638914.7在审
发明人：长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极离子源以及制造方法

[发明专利]移载装置及使用了该移载装置的成膜装置-CN202080006975.9有效
发明人：大胡嘉规;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：为了提供一种可确保成膜品质的稳定性、生产率高、小型且廉价的成膜装置，其具备：旋转体(21)，其为能够旋转的旋转体(21)，沿着该旋转体(21)的外周部设置有保持部(212)，应移载的对象物(3)以能够装卸的方式保持于该保持部(212)；以及移载机构(22)，其具有能够把持以及释放上述对象物(3)的把持机构(223)，将保持于规定设备(111)的对象物(3)移载到上述旋转体(21)的保持部(212)，并且将保持于上述旋转体(21)的其他对象物(3)移载到上述规定设备(111)。
装置使用

[实用新型]离子引出栅极以及离子源-CN202123375764.3有效
发明人：长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极以及离子源。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极以及离子源

[发明专利]溅射装置和使用了该溅射装置的成膜方法-CN202180005205.7在审
发明人：大胡嘉规;宫内充祐;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具备：成膜室(11)，其中，在基板(S)形成膜；减压装置(19)，其使上述成膜室内为减压气氛；圆盘状的基板架(12)，其可旋转地设置于上述成膜室内，在一个主表面具有可自转地保持上述基板的基板保持部(14)；驱动装置(13)，其使上述基板架旋转；成膜工艺区(R1)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的外周区域对应的空间，设有溅射电极(16)；反应工艺区(R2)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的中心区域对应的空间，设有等离子体产生装置(17)；和气体导入装置(18)，其向上述成膜室内导入放电气体和反应气体。
溅射装置使用方法

[发明专利]薄膜形成装置-CN202010092653.2在审
发明人：长江亦周;宫内充祐;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。
薄膜形成装置

[发明专利]成膜装置-CN201911094854.X在审
发明人：盐田有广;青山贵昭;远藤光人;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201710228584.1有效
发明人：长江亦周;菅原卓哉;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射粒子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201710524216.1在审
发明人：长江亦周;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本发明提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。
成膜装置基板容器内部喷嘴成膜过程加热机构排气机构真空状态排出容置排气加热

[实用新型]成膜装置-CN201720780692.5有效
发明人： 青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： B05B15/52 文献下载
摘要：本实用新型公开一种成膜装置，包括容器，其内部能够容置基板；储藏机构，其储藏含有成膜材料的溶液；喷嘴，其与所述储藏机构连通；所述喷嘴能将所述溶液排出至所述基板上；除残机构，其能将所述喷嘴内残留的所述溶液排出所述喷嘴。
装置

[实用新型]成膜装置-CN201720789110.X有效
发明人：长江亦周;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种成膜装置，包括容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本实用新型提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。
装置

[实用新型]加压储藏机构及其减压喷雾成膜装置-CN201720790765.9有效
发明人： 青山贵昭;今井正德 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种加压储藏机构及其减压喷雾成膜装置。所述加压储藏机构包括第一容器，其用于容纳溶液；排出部，其用于排出所述溶液；设于所述第一容器内的间隔件，其用于将所述溶液与含有非所述溶液组分的介质间隔开；所述间隔件能够在所述第一容器内滑动以推动所述溶液由所述排出部排出。
加压储藏机构及其减压喷雾装置

[实用新型]成膜装置-CN201720367394.3有效
发明人：长江亦周;菅原卓哉;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开一种成膜装置，该成膜装置包括真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。
装置

[实用新型]薄膜形成装置-CN201220540309.6有效
发明人：渡边健;青山贵昭;冈田胜久;盐野一郎;宫内充祐;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜形成装置，其能够抑制由于蒸镀材料的粒子通过基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）而导致真空槽（1）内被污染这一情况。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；蒸镀机构（4），其收纳在真空槽（1）内；和基板支架保持部件（3），其在比蒸镀机构（4）靠上方的位置收纳在真空槽（1）内，在所述真空蒸镀装置（100）中，在基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）内，配置有从基板支架保持部件（3）的外周部向真空槽（1）的内壁面延伸出的密封部（5）。
薄膜形成装置

[发明专利]薄膜形成装置-CN201210327850.3有效
发明人：姜友松;盐野一郎;宫内充祐;青山贵昭;林达也;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成装置，其通过使仅在多个基板上的特定部分上形成薄膜的作业简单化、效率化，从而能够缩短薄膜形成时的作业时间，减少成膜作业的费用。薄膜形成装置（100）具备的基板保持机构（3）具有：基板保持部件（10～40），保持多个基板（S），使得基板（S）的非成膜部分（S2）的一部分与其他基板（S）重合，而成膜部分（S1）露出；支撑部件（50），支撑基板保持部件（10～40）；旋转部件（60），使支撑部件（50）旋转，基板保持部件（10～40）具有：多个保持面（11d），保持多个基板（S），配置在成膜源（4）与多个基板（S）之间；多个阶差部（11e），形成在多个保持面（11d）之间，分别与多个基板（S）的端部抵接；多个开口部（11f），在基板（S）的端部抵接在多个阶差部（11e）的状态时，形成在与成膜部分（S1）相应的部分的保持面（11d）上。
薄膜形成装置

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