[发明专利]三维闪存及其阵列布局结构

摘要

本发明公开了一种三维闪存及其阵列布局结构。所述三维闪存包括栅极叠层结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱以及电荷存储结构。所述栅极叠层结构设置于介电衬底上，且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。所述环状的通道柱设置所述介电衬底上，且贯穿所述栅极叠层结构。所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱设置所述介电衬底上，且位于所述通道柱中并贯穿所述栅极叠层结构，其中所述第一源极/漏极柱与所述第二源极/漏极柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接。所述电荷存储结构设置于所述多个栅极层中的每一者与所述通道柱之间。