[发明专利]一种半导体功率器件结构有效
| 申请号： | 202010086198.5 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111261708B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 孙闫涛;黄健;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件结构，包括半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型的外延层，外延层的表面为第一主面，半导体基板的下部为第一导电类型的衬底；第一主面上设置有第二导电类型的第一掺杂区、以及位于第一掺杂区表面被第一掺杂区侧面包围的第一导电类型的第二掺杂区，相邻第一掺杂区之间的第一主面上设置有栅氧化层，栅氧化层上设置有栅极区，栅极区为浮栅结构。本发明能够降低等效阈值电压Vth，以便显著降低器件的正向电压Vf；通过设置栅氧化层‑电荷储存介质层‑阻挡氧化层的多层结构，增加了寄生电容的介质厚度，从而显著降低了寄生电容，有效提高了器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷捷微电（上海）科技有限公司，未经捷捷微电（上海）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010086198.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
