[发明专利]共源共栅半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202010078957.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111490030A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·蒙哥马利;里卡多·杨多克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种分立的半导体器件和相关的制造方法，所述分立的半导体器件包括：高电压耗尽型器件裸芯；与高电压耗尽型器件裸芯按照共源共栅构造连接的低电压增强型器件裸芯；其中，高电压耗尽型器件包括布置在其第一表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子，并且所述栅极端子、源极端子和漏极端子相对于低电压增强型器件裸芯倒置；并且其中低电压器件布置为邻近于高电压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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