[发明专利]半导体装置的试验方法在审
| 申请号： | 202010078922.X | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111665429A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 泽雄生 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够提高半导体装置的电特性的检测精度的半导体装置的试验方法。预先获取半导体装置的温度与温度检测用二极管的正向电压之间的第一关系式(步骤S1)。预先获取表示半导体装置的导通电压与从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量之间的关系的第二关系式(步骤S2)。获取从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度检测用二极管的正向电压变化量(步骤S3)。利用第一关系式和在步骤S3的处理中获取到的正向电压变化量，计算从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量(步骤S4)。利用第二关系式，获取在步骤S4中获取到的温度变化量下的MOS栅型半导体装置的修正后的导通电压(步骤S5)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 试验 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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