[发明专利]半导体装置的试验方法

说明书

提供能够提高半导体装置的电特性的检测精度的半导体装置的试验方法。预先获取半导体装置的温度与温度检测用二极管的正向电压之间的第一关系式(步骤S1)。预先获取表示半导体装置的导通电压与从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量之间的关系的第二关系式(步骤S2)。获取从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度检测用二极管的正向电压变化量(步骤S3)。利用第一关系式和在步骤S3的处理中获取到的正向电压变化量，计算从半导体装置导通前的时间点至关断后的时间点为止的温度变化量(步骤S4)。利用第二关系式，获取在步骤S4中获取到的温度变化量下的MOS栅型半导体装置的修正后的导通电压(步骤S5)。

技术领域

本发明涉及半导体装置的试验方法。

背景技术

对以往的半导体装置的试验方法进行说明。图12、图13是示意性地示出以往的半导体装置的试验装置的一部分的截面图。在图12、图13中示出以往的半导体装置的试验装置110的载置台102附近的结构。图12是下述专利文献1的图10，图13是下述专利文献2的图1。如图12所示，在以往的半导体装置的试验方法中，将形成有半导体装置的半导体芯片101以使其背面处于试验装置110的载置台102侧的方式载置于该载置台102上。

然后，使载置台102垂直地向上方移动，以预定压力将设置于半导体芯片101的正面的主电极(未图示)和栅电极(未图示)分别按压到位于载置台102的上方的作为金属触头的探针103、103’而使其接触，由此进行电连接。然后，通过介由探针103、103’，在预定条件下分别向半导体芯片101的主电极和栅电极施加电压或使电流流通，从而检测半导体装置的电特性(例如，参照下述专利文献1、专利文献2)。

另外，在下述专利文献1、专利文献2中，作为半导体装置的另一试验方法，公开了使用通过将金属纤维结合为无纺布状而形成的电极焊盘111作为试验装置110’的金属触头来代替探针103的方法(图13)。具体来说，在图13所示的以往的半导体装置的试验方法中，将半导体芯片101载置于试验装置110’的载置台102上的第一电极焊盘111，使设置于半导体芯片101的背面的主电极(未图示)与第一电极焊盘111接触而进行电连接。

然后，使载置台102垂直地向上方移动，以预定压力将设置于半导体芯片101的正面的主电极(未图示)和栅电极(未图示)分别按压到位于载置台102的上方的第二电极焊盘112和探针103’而使其接触，由此进行电连接。通过介由第一电极焊盘111、第二电极焊盘112和探针103’，在预定条件下分别向半导体芯片的主电极和栅电极施加电压或使电流流通，从而检测半导体装置的电特性。

试验装置110’的第一电极焊盘111、第二电极焊盘112是将金属纤维设为无纺布状而形成的电极焊盘。由此，由于半导体芯片101的主电极与试验装置110’的第一电极焊盘111、第二电极焊盘112之间的接触面积增大，因此半导体芯片101的主电极与试验装置110’的第一电极焊盘111、第二电极焊盘112之间的接触电阻降低。由此，在向半导体芯片101的主电极流通大电流的试验中，能够抑制因大电流流通于接触电阻而产生的焦耳热。

另外，通过将试验装置110’的第一电极焊盘111、第二电极焊盘112设为将金属纤维制成无纺布状的电极焊盘，从而减轻对该第一电极焊盘111、第二电极焊盘112和半导体芯片101的主电极的损害。另外，通过减轻对第一电极焊盘111、第二电极焊盘112的损害，从而可以减少试验装置110’的维护次数，能够进行连续试验。符号104是固定探针103、103’和第二电极焊盘112的组件。符号105是安装组件104的部件。