[发明专利]半导体装置的试验方法

权利要求书

1.一种半导体装置的试验方法，其特征在于，其通过在预定条件下施加电压或使电流流通来检测预定的第一物理量，包括：

第一工序，获取第一关系式，所述第一关系式表示利用二极管的温度特性而检测出的所述半导体装置的温度与依赖于所述半导体装置的温度而变化且不同于所述第一物理量的第二物理量之间的关系；

第二工序，对依赖于所述半导体装置的温度而变化的所述第一物理量进行检测而将所述第一物理量作为第一变量，并且通过所述二极管对检测该第一物理量时的从所述半导体装置导通至关断为止的期间的温度变化量进行检测而将所述温度变化量作为第二变量，获取多个具有所述第一变量和所述第二变量的检测点，基于所述检测点，获取表示所述半导体装置的所述第一物理量与所述半导体装置的温度变化量之间的关系的第二关系式；

第三工序，检测与所述半导体装置关断同时或刚关断之后的所述第二物理量，获取从所述半导体装置导通至关断为止的期间的所述第二物理量的变化量；

第四工序，基于所述第一关系式和在所述第三工序中获取到的所述第二物理量的变化量，获取所述半导体装置的从导通至关断为止的期间变化的温度变化量；以及

第五工序，基于所述第二关系式，获取在所述第四工序中获取到的所述半导体装置的温度变化量下的修正后的所述第一物理量。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，在所述第三工序中，检测所述半导体装置导通前的所述第二物理量、以及与所述半导体装置关断同时或刚关断之后的所述第二物理量，获取从所述半导体装置导通至关断为止的期间的所述第二物理量的变化量。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述第二关系式是使全部所述检测点近似于一条直线上而计算出的一次的近似直线，

在所述第五工序中，获取穿过预定的所述检测点而与所述近似直线平行的辅助直线上的在所述第四工序中获取到的所述半导体装置的温度变化量下的数据点的所述第一变量作为修正后的所述第一物理量。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述半导体装置的试验方法使用试验装置，所述试验装置具备：

载置台，其载置形成有所述半导体装置的半导体基板；以及

金属触头，其在所述半导体基板的一个主面与所述载置台接触的状态下，在所述预定条件下从所述半导体基板的另一个主面向所述半导体装置施加电压或使电流流通。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述二极管与所述半导体装置形成于同一所述半导体基板。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述半导体装置为绝缘栅双极型晶体管，

所述二极管是由所述绝缘栅双极型晶体管的接触区与漂移区之间的pn结形成的寄生二极管。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述半导体装置兼作所述二极管。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述第二物理量是所述二极管的正向电压。

9.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述半导体装置是具备绝缘栅的绝缘栅型半导体装置，所述绝缘栅包括金属-氧化膜-半导体这三层结构，

所述第二物理量是所述半导体装置的栅极阈值电压。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述第一物理量是所述半导体装置的导通电压。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的试验方法，其特征在于，所述第一物理量是所述半导体装置的漏电流。