[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202010074465.7 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420833A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;陈冠超;陈璿安;李伦铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包含基板、半导体二维材料层、导电二维材料层、栅极介电层，及栅极电极。半导体二维材料层配置于基板上方。导电二维材料层沿着半导体二维材料层延伸，其中导电二维材料层包含四族元素。栅极介电层沿着半导体二维材料层的沟道区域延伸。栅极电极配置于栅极介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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