[发明专利]存储器装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010066839.0 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113140569A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 庄哲辅;陈建廷;廖祐楷;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11563;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请为一种存储器装置的制造方法，包含：提供衬底，衬底包含存储单元区与周边区；于存储单元区上形成多个第一栅极结构；于周边区上形成至少一第二栅极结构；于衬底上形成衬层；于衬层上形成间隔层；于间隔层上形成停止层；于停止层上形成第一牺牲层，第一牺牲层覆盖多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构，且形成于多个沟槽的底部；移除第一牺牲层的一部分，以暴露出位于多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构上的停止层，以及位于多个沟槽的底部的停止层；移除位于多个沟槽的底部的停止层，以暴露出间隔层；移除剩余的第一牺牲层；于衬底上形成第二牺牲层；以及移除第二牺牲层，且移除位于多个沟槽的底部的间隔层以及衬层，以暴露出衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
