[发明专利]存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括一存储单元区与一周边区；

于所述存储单元区上形成多个第一栅极结构；

于所述周边区上形成至少一第二栅极结构；

于所述衬底上形成一衬层，所述衬层覆盖所述多个第一栅极结构以及所述至少一第二栅极结构，且所述衬层形成于所述多个第一栅极结构之间的多个沟槽的底部；

于所述衬层上形成一间隔层；

于所述间隔层上形成一停止层；

于所述停止层上形成一第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述多个第一栅极结构以及所述至少一第二栅极结构，且形成于所述多个沟槽的底部；

移除所述第一牺牲层的一部分，以暴露出位于所述多个第一栅极结构以及所述至少一第二栅极结构上的所述停止层，以及位于所述多个沟槽的底部的所述停止层；

移除位于所述多个沟槽的底部的所述停止层，以暴露出所述间隔层；

移除剩余的所述第一牺牲层；

于所述衬底上形成一第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述多个第一栅极结构、所述衬层、所述间隔层以及所述停止层，且填入所述多个沟槽；以及

移除所述第二牺牲层，且移除位于所述多个沟槽的底部的所述间隔层以及所述衬层，以暴露出所述衬底。

2.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，移除所述第一牺牲层的一部分的步骤通过一干法刻蚀工艺实行。

3.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，移除位于所述多个沟槽的底部的所述停止层的步骤以及移除剩余的所述第一牺牲层的步骤通过一湿蚀刻法工艺实行。

4.根据权利要求3所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，移除位于所述多个沟槽的底部的所述停止层的步骤以及移除剩余的所述第一牺牲层的步骤通过同一湿蚀刻法工艺实行。

5.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，在移除位于所述多个沟槽的底部的所述停止层的步骤之后，暴露出位于所述多个沟槽的底部的所述间隔层的一顶表面。

6.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述停止层的厚度大于所述间隔层的厚度，且所述停止层的厚度大于所述衬层的厚度，其中所述停止层的厚度为所述衬层及所述间隔层的厚度总和的0.8倍至1.5倍。

7.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，于所述衬底上形成所述第二牺牲层的步骤之后，还包括：

于所述衬底上形成一第一介电层，且所述第一介电层覆盖所述至少一第二栅极结构；

于所述多个第一栅极结构上形成贯穿所述第二牺牲层的多个开口，且所述多个开口暴露出所述间隔层；以及

于所述多个开口中填充一第二介电层。

8.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，还包括：

于所述多个第一栅极结构之间的多个沟槽中填充一导电材料，以形成多个接触件。

9.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层顺应性地形成于所述停止层上。

10.根据权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，移除位于所述多个沟槽的底部的所述停止层的步骤选择性地移除所述停止层而未移除所述间隔层。