[发明专利]存储器装置的制造方法

说明书

本申请为一种存储器装置的制造方法，包含：提供衬底，衬底包含存储单元区与周边区；于存储单元区上形成多个第一栅极结构；于周边区上形成至少一第二栅极结构；于衬底上形成衬层；于衬层上形成间隔层；于间隔层上形成停止层；于停止层上形成第一牺牲层，第一牺牲层覆盖多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构，且形成于多个沟槽的底部；移除第一牺牲层的一部分，以暴露出位于多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构上的停止层，以及位于多个沟槽的底部的停止层；移除位于多个沟槽的底部的停止层，以暴露出间隔层；移除剩余的第一牺牲层；于衬底上形成第二牺牲层；以及移除第二牺牲层，且移除位于多个沟槽的底部的间隔层以及衬层，以暴露出衬底。

技术领域

本申请有关于一种半导体装置的制造方法，且特别是有关于一种存储器装置的制造方法。

背景技术

随着市场的快速成长，提高存储器装置的积集度以及缩小关键尺寸已成为一种趋势。在此趋势下，存储器装置常遭遇字元线漏电(word line leakage)、位元线短路(bitline short)以及高温数据保持(high-temperature data retention，HTDR)不佳等问题。此外，位元线之间的介电层上的金属或金属氧化物颗粒残留也容易导致位元线短路的问题。因此，能够进一步提升存储器装置的效能的工艺，仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

根据本申请一些实施例，提供一种存储器装置的制造方法，包含以下步骤：提供衬底(substrate)，衬底包括存储单元区(memory cell region)与周边区；于存储单元区上形成多个第一栅极结构；于周边区上形成至少一第二栅极结构；于衬底上形成衬层，衬层覆盖多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构，且衬层形成于多个第一栅极结构之间的多个沟槽的底部；于衬层上形成间隔层(spacer layer)；于间隔层上形成停止层(stoppinglayer)；于停止层上形成第一牺牲层(sacrificial layer)，第一牺牲层覆盖多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构，且形成于多个沟槽的底部；移除第一牺牲层的一部分，以暴露出位于多个第一栅极结构以及至少一第二栅极结构上的停止层，以及位于多个沟槽的底部的停止层；移除位于多个沟槽的底部的停止层，以暴露出间隔层；移除剩余的第一牺牲层；于衬底上形成第二牺牲层，第二牺牲层覆盖多个第一栅极结构、衬层、间隔层以及停止层，且填入多个沟槽；以及移除第二牺牲层，且移除位于多个沟槽的底部的间隔层以及衬层，以暴露出衬底。

附图说明

为让本申请的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

图1A至图1L显示根据本申请一些实施例中，存储器装置在其制造方法中各阶段的结构示意图。

[符号说明]

10 存储器装置；

100 衬底；

100a 存储单元区；

100b 周边区；

100p 部分顶表面；

110 沟槽；

130 接触件；

200 第一栅极结构；

200s 侧壁；

200t 顶表面；

202 穿隧介电层；

204 导体层；

206 闸间介电层；

208 导体层；

210 栅极掩膜层；

300 第二栅极结构；

300s 侧壁；