[发明专利]六方氮化硼紫外光探测器及制备方法有效
申请号: | 202010063708.7 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111244222B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 张兴旺;刘恒;王烨;尹志岗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法,该六方氮化硼紫外光探测器包括:衬底;绝缘层,形成于衬底的一表面上,并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口,露出衬底;第一石墨烯层,形成于绝缘层上,且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域;六方氮化硼层,原位形成于第一石墨烯层上;第二石墨烯层,原位形成于六方氮化硼层上;正面电极,形成于窗口之外的第二石墨烯层上;以及背面电极,形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结,可减小异质结界面污染和缺陷,可保证器件具有高的响应速度及响应度,同时采用纵向器件结构,提高器件的集成度。 | ||
搜索关键词: | 氮化 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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