[发明专利]六方氮化硼紫外光探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010063708.7 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111244222B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 张兴旺;刘恒;王烨;尹志岗 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/11 分类号: H01L31/11;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法,该六方氮化硼紫外光探测器包括:衬底;绝缘层,形成于衬底的一表面上,并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口,露出衬底;第一石墨烯层,形成于绝缘层上,且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域;六方氮化硼层,原位形成于第一石墨烯层上;第二石墨烯层,原位形成于六方氮化硼层上;正面电极,形成于窗口之外的第二石墨烯层上;以及背面电极,形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结,可减小异质结界面污染和缺陷,可保证器件具有高的响应速度及响应度,同时采用纵向器件结构,提高器件的集成度。
搜索关键词: 氮化 紫外光 探测器 制备 方法
【主权项】:
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