[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010060997.5 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112447833A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第1环状区域、第2导电型的第2环状区域、第2电极、第3电极、第1导电层、以及半绝缘层。第1环状区域设置在第2半导体区域与第3半导体区域之间，包围第2半导体区域。第2环状区域设置在第1环状区域与第3半导体区域之间，包围第1环状区域。第1导电层隔着绝缘层设置在第1环状区域之上、第2环状区域之上、以及位于第1环状区域与第2环状区域之间的第1半导体区域的第1区域之上，包围第2电极。半绝缘层与第2电极、第1导电层、以及第3电极相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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