[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第1环状区域、第2导电型的第2环状区域、第2电极、第3电极、第1导电层、以及半绝缘层。第1环状区域设置在第2半导体区域与第3半导体区域之间，包围第2半导体区域。第2环状区域设置在第1环状区域与第3半导体区域之间，包围第1环状区域。第1导电层隔着绝缘层设置在第1环状区域之上、第2环状区域之上、以及位于第1环状区域与第2环状区域之间的第1半导体区域的第1区域之上，包围第2电极。半绝缘层与第2电极、第1导电层、以及第3电极相接。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－162271号(申请日：2019年9月5日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)等半导体装置用于电力转换等用途。期望的是，半导体装置的可靠性高。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第1环状区域、第2导电型的第2环状区域、第2电极、第3电极、第1导电层以及半绝缘层。上述第1半导体区域设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接。上述第2半导体区域设置在上述第1半导体区域之上。上述第3半导体区域设置在上述第1半导体区域之上，包围上述第2半导体区域。上述第3半导体区域具有比上述第1半导体区域高的第1导电型的杂质浓度。上述第1环状区域设置在上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间，与上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域分离。上述第1环状区域包围上述第2半导体区域。上述第2环状区域设置在上述第1环状区域与上述第3半导体区域之间，与上述第1环状区域以及上述第3半导体区域分离。上述第2环状区域包围上述第1环状区域。上述第2电极设置在上述第2半导体区域之上，与上述第2半导体区域电连接。上述第3电极设置在上述第3半导体区域之上，包围上述第2电极。上述第3电极与上述第3半导体区域电连接。上述第1导电层隔着绝缘层设置在上述第1环状区域之上、上述第2环状区域之上、以及位于上述第1环状区域与上述第2环状区域之间的上述第1半导体区域的第1区域之上。上述第1导电层与上述第2电极以及上述第3电极分离，包围上述第2电极。上述半绝缘层与上述第2电极、上述第1导电层以及上述第3电极相接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图3是图1以及图2的III－III截面图。

图4是表示参考例的半导体装置的一部分的截面图。

图5的(a)、图5的(b)是表示参考例以及第1实施方式的半导体装置的特性的曲线图。

图6是表示参考例以及第1实施方式的半导体装置的特性的曲线图。

图7是表示第1实施方式的第1变形例的半导体装置的一部分的截面图。

图8是表示第1实施方式的第2变形例的半导体装置的一部分的截面图。

图9是表示第2实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

图10是表示第3实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

具体实施方式