[发明专利]一种碳化硅功率二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010059519.2 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113140639A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/335;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司，未经珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010059519.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变色玻璃及其制备方法
- 下一篇：传感器及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
