[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

实施方式提供一种能够抑制晶体管的阱耐压劣化，且减少元件面积的半导体装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体装置具备：第2导电型的半导体衬底，是包含第1面的半导体衬底，且包含第1面侧的第1导电型的第1区域、在第1区域的第1面侧排列在沿着第1面的第1方向的第2导电型的2个第2区域、及包围第1区域且具有低于第1区域的第1面中的第1导电型杂质的浓度的第1导电型杂质的浓度的第1导电型的第3区域；导电体层，设置在第1区域中2个第2区域之间的第1部分的上方；以及第1绝缘体层，在半导体衬底的第1面侧，包围第3区域且与第3区域相接。第1区域中沿着第1方向而与第1部分排列的第2部分在第1区域的第1面侧，未由绝缘体层夹着而沿着第1方向延伸。