[发明专利]一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法在审
| 申请号： | 202010050175.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111235633A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘兴昉;闫果果;申占伟;汪久龙;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B28/14;C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法，包括在一图形衬底上制备硅膜；在生长炉中升高温度使硅膜熔化形成硅熔体；保持温度不变，向生长炉中通入碳氢化合物气体，一段时间后形成悬浮于硅熔体表层的碳化硅籽晶层；向生长炉中通入碳氢化合物气体和硅氢化合物气体，在碳化硅籽晶层上同质外延生长，形成碳化硅自支撑层；将含有碳化硅自支撑层的图形衬底降温后去除所述硅膜，得到剥离的碳化硅自支撑层，将之研磨抛光并整形后，即得到所述碳化硅晶圆。本方法避免了传统方法的劣势，具有简便易行，容易推广等优点；本发明可以使用价格低廉的蓝宝石衬底，衬底还可以重复使用，进一步降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体表 通过 cvd 制备 支撑 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
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