[发明专利]一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法有效
| 申请号： | 202010036673.8 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111107712B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 马崇振 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/42;H05K3/24;H05K3/06 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 殷盛江 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种控制电镀深度减少通孔Stub的方法，包括以下步骤：A钻孔；B树脂塞孔；C二次钻孔，选择直径为D1的钻头，钻孔深度＝D3+D4；D镀铜；E二次树脂塞孔。先钻孔，充满树脂之后，然后在树脂内钻孔，此时钻孔的深度为D3+D4，通过钻孔的深度控制D4的大小，之后进行镀铜，与传统背钻相比，D4的大小可通过钻孔的深度控制，而不需要背钻，减少D4大小的同时可防止D3撕裂、变形等，操作简单方便，可靠性好，同时减少D4的大小，效减少Stub长度，且节省PCB走线空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 电镀 深度 减少 stub 方法 | ||
【主权项】：
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