[发明专利]三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010033322.1 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111276483B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吴建忠;刘佳;易汉威;高毅;王猛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。其中，方法包括：提供基底结构；基底结构至少包括：衬底，位于衬底上的堆叠结构，穿过堆叠结构且延伸至衬底的存储沟道孔(CH)和虚拟沟道孔(DCH)，位于CH和DCH底部的导电连接层以及位于CH和DCH侧壁及导电连接层顶面的存储器材料层；堆叠结构包括至少两层子堆叠结构；堆叠结构是利用制造完成的子堆叠结构形成的，形成好的子堆叠结构中子沟道孔穿过子堆叠结构；在DCH中填充第一材料；进行第一刻蚀，以去除覆盖在CH底部的导电连接层顶面的存储器材料层；其中，在第一刻蚀过程中，通过消耗第一材料来避免对位于DCH的侧壁和DCH底部的导电连接层顶面的存储器材料层的刻蚀作用；去除第一材料。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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