[发明专利]半导体器件及其制备方法和三维存储器有效
| 申请号： | 202010032358.8 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111223916B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李刚;谢海波;张志雄;梁玲;彭绍扬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78;H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法和三维存储器件，该半导体器件制备方法中，将对高压区域的栅极结构(包括栅极和形成于栅极的侧壁的偏移间隔)两侧的栅极绝缘层的蚀刻步骤调整到轻掺杂漏处理步骤与间隔侧壁的形成步骤之间，可以有效避免现有技术中在蚀刻高压区域的栅极结构两侧的底部栅极绝缘层时，会同时对栅极结构的间隔侧壁中的氧化物间隔侧壁(第一间隔侧壁)以及偏移间隔中的氧化物偏移间隔造成不期望的蚀刻，从而在氧化物间隔侧壁及氧化物偏移间隔的顶部形成缺陷凹槽的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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