[发明专利]半导体薄膜制备装置及制备方法在审
| 申请号： | 202010030730.1 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111218650A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 何元金 | 申请（专利权）人： | 何元金 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/56;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 王文雅 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体薄膜制备装置及制备方法，涉及半导体薄膜加工技术领域，主要目的是解决现有技术中存在的薄膜厚度较薄的技术问题。该半导体薄膜制备装置，包括：沿垂直方向设置的炉体、至少一个设置在所述炉体内部的蒸发源装置以及位于至少一个所述蒸发源装置上部的衬底；所述蒸发源装置位于所述炉体下端且至少一个所述蒸发源装置与所述衬底相对设置；所述炉体的上端设置有开口，真空泵通过所述开口与所述炉体相连并用于抽取所述炉体内部的气体。当该半导体薄膜制备装置启动时，蒸发源装置与衬底所在处均处于真空状态，位于蒸发源装置上的物料在真空状态下能够以较快的速度沿垂直方向移动并沉积在衬底上从而在较短的时间内形成超厚薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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