[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010030566.4 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111863964A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，半导体装置包括鳍状物自基板延伸；栅极结构位于通道区上；第一间隔物，沿着栅极结构的下侧部分的侧壁延伸；以及第二间隔物，沿着栅极结构的上侧部分的侧壁延伸。鳍状物包括通道区以及与通道区相邻的源极/漏极区。栅极结构包括上侧部分与下侧部分。第二间隔物位于第一间隔物的上表面上。第一间隔物的组成为一第一介电材料，第二间隔物的组成为第二介电材料，且第一介电材料与第二介电材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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