[发明专利]一种制作超薄透明石墨烯栅电极的方法有效
| 申请号： | 202010016401.1 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111192937B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡金明;梁洁园;萧文秋 | 申请（专利权）人： | 广东墨睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/113 |
| 代理公司： | 东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙) 44450 | 代理人： | 李林学 |
| 地址： | 523170 广东省东莞市道滘镇万道路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及石墨烯加工技术领域，一种制作超薄透明石墨烯栅电极的方法，包括以下步骤：a,制取样品；b,样品的定位；c,电极图案化；d,电子束曝光电极；e,变性PMMA的去掉；f,源漏金属电极的沉积；g,器件的成形；h,沉积氧化绝缘层；i,石墨烯电极的准备；j,顶栅场效应晶体管的制作；本发明以转移石墨烯作透明电极取代传统的蒸镀金属电极，避免电子束曝光或金属电极沉积使绝缘氧化层出现裂缝，从而使顶栅场效应晶体管仍能正常工作，并且应用于光电领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 超薄 透明 石墨 电极 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
