[发明专利]突出栅极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010011094.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112786690B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 尹炅一;吴容哲 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H10B12/00;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种突出栅极晶体管，所述突出栅极晶体管包括基板、源极区、汲极区、通道延伸锚、通道层、和栅极结构。所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅极导电层。所述通道层形成为从所述基板突出，以延伸所述突出栅极器晶体管的所述通道的所述长度并减轻通道长度的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 突出 栅极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010011094.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
