[发明专利]碱辅助插层在二维半导体Ti3

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种碱辅助插层在二维半导体Ti3C2O2合成中的应用，通过用碱插层，引入大量‑OH，替换Ti3C2Tx中的Ti‑F键，进而形成更多的Ti‑OH，然后在管式炉中进行煅烧，附着在Ti3C2Tx表面的‑OH在加热的过程中，通过脱水缩合生成半导体材料Ti3C2O2，从而作为半导体光催化剂用于光伏器件中。本发明制备过程简单，能量消耗较少且易于推广；碱辅助插层后，能够合成出性质优异的半导体材料Ti3C2O2，这种具有高比表面，层状结构，良好的导电性，高透明性的Ti3C2O2的前景是值得期待的，在光伏器件中将会有广泛的应用。