[发明专利]碱辅助插层在二维半导体Ti3

权利要求书

1.一种碱辅助插层在二维半导体Ti₃C₂O₂合成中的应用，通过用HF酸刻蚀Ti₃AlC₂生成Ti₃C₂T_x，通过四丁基氢氧化铵TBAOH插层使其层间距扩大，使Ti₃C₂T_x表面负载大量-OH，然后在管式炉中进行煅烧，获得窄带隙半导体材料Ti₃C₂O₂，从而作为半导体光催化剂用于光伏器件中；其特征在于，

具体步骤如下：

第一步，将Ti₃AlC₂粉体缓缓加入到HF溶液中，Ti₃AlC₂:HF＝120～150g/L，在艾卡热台上常温搅拌蚀刻8～24h，然后在1000～4500rpm下用离心机离心1～10min，除去HF，将沉淀物用去离子水清洗至pH5，在真空和10～60℃温度条件下干燥2～12h得到手风琴状的Ti₃C₂T_x；

第二步，向Ti₃C₂T_x中加入用于插层的TBAOH，Ti₃AlC₂:TBAOH＝12～15g/L，在室温条件下搅拌12～36h后，然后在3000～8000rpm下用离心机离心1～10min，除去TBAOH，将沉淀物用去离子水清洗3-10遍；然后在真空和10～60℃温度条件下干燥2～12h，得到表面附着大量-OH的Ti₃C₂T_x；

第三步，将第二步得到的材料置于管式炉中，在通氧气的条件下按照事先设置好的程序煅烧，最终得到半导体材料Ti₃C₂O₂；

所述的管式炉煅烧温度为80～400℃；

所述的管式炉煅烧时间为5～30min。

2.根据权利要求1所述的碱辅助插层在二维半导体Ti₃C₂O₂合成中的应用，其特征在于，所述的HF溶液的浓度为20～60wt％。

3.根据权利要求1或2所述的碱辅助插层在二维半导体Ti₃C₂O₂合成中的应用，其特征在于，所述的TBAOH溶液的浓度为20～60wt％。