[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括衬底、依次层叠设置在衬底上的第一堆叠结构及第二堆叠结构；第一堆叠结构设于衬底的堆叠面，第一堆叠结构设有贯穿第一堆叠结构且与衬底接触的第一子沟道孔，第一堆叠结构的厚度为第一厚度；第二堆叠结构设于第一堆叠结构背离衬底的表面，第二堆叠结构设有贯穿第二堆叠结构且与第一子沟道孔连通的第二子沟道孔，第二堆叠结构的厚度为第二厚度，第二厚度小于第一厚度。本申请的三维存储器解决了现有技术中由于堆叠层数的增加，上层沟道孔的倾斜程度越来越严重，导致无法与下层沟道孔对准，进而在后续对沟道孔底部进行刻蚀时，会造成侧壁损伤，影响三维存储器的电学性能的问题。