[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980101338.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114556553A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈东;孙捷;曾志雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 聂秀娜 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括衬底(100)和电感元件(200)，在衬底(100)和电感元件(200)之间可以形成有屏蔽层(300)，屏蔽层(300)用于屏蔽衬底(100)和电感元件(200)之间的电耦合，这样可以降低衬底(100)中的耦合电流，减少电感元件(200)中的能量损失，提高电感元件(200)的品质因数，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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