[发明专利]光半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980097657.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN114008748A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 惠良淳史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭忠健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括：在n型InP基板(10)的表面形成半导体层的工序；对所述半导体层的一部分进行蚀刻来形成活性层脊(20)的蚀刻工序；边供给结晶生长的原料气体和蚀刻气体，边去除附着于被蚀刻的半导体层的表面的Si的清洁工序；以及在比所述清洁工序中的温度高的处理温度下，在活性层脊(20)的两侧形成埋入层(40)的结晶生长工序，以保持脊形状的状态进行清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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